HTML, Excel, Word, SEOВсё о BIOS ⇒ Настройки оперативной памяти DRAM

Всё о BIOS

Как настроить BIOS
· Что такое BIOS
· Что такое CMOS
· Включение ПК
· AWARD BIOS 4.51PG
· AWARD BIOS 6.0
· AWARD BIOS 6.0PG
· AMI BIOS 1.24 (1.45)
· AMI BIOS 8.00
· BIOS PHOENIX + AWARD, BIOS INTEL
Базовые настройки BIOS
· Системное время и дата
· Жесткий диск
· Загрузка компьютера
· Обработка ошибок
· Антивирусная защита
· Настройка чипсета
· Процессор
· Общие настройки процессора
· Настройки кэш-памяти
· Как работает оперативная память
· Общие настройки оперативной памяти
· Настройки DRAM
· Настройки DDR2/DDR3
· Настройки клавиатуры и мыши
· Настройки шины PCI
· Настройки шины AGP и PCI Express
· Настройки IDE-контроллера
· Настройки USB и FIREWIRE
· Настройки портов COM и LPT
· Настройки звука
· Пароли БИОС
· Настройки прерываний
· Управление питанием
· Мониторинг компьютера
Сообщения об ошибках
· Сигналы AWARD BIOS
· Сигналы AMI BIOS
· Сигналы PHOENIX BIOS
· Вывод на монитор

Бесплатные игровые слоты Вулкан Россия доступны без регистрации

Настройки оперативной памяти DRAM


Пункт меню BIOS Описание
CPU to DRAM Page Mode Активация режима задержки закрытия обработанной страницы памяти. Это снижает стабильность работы, но повышает производительность. В обычном режиме после обработки страницы памяти она сразу же закрывается. Но, довольно часто система через непродолжительное время вновь обращается к этой же странице памяти. Если оставить такую страницу на некоторое время открытой, то скорость работы возрастает.
Возможные значения:
  • Always Open - страницы остаются открытыми некоторое время;
  • Page Closes - обычный режим, страницы сразу закрываются.
Fast MA to RAS# Delay Время задержки между циклами обращения к памяти. Применяется для модулей FPM DRAM, задается в системных тактах.
DRAM Clock Тактовая частота модулей памяти.
Возможные значения:
  • Host CLK - частота модулей памяти равна тактовой частоте системной шины (по умолчанию);
  • 66 МГц
DRAM RAS to CAS Delay Время задержки между сигналами RAS и CAS. Уменьшение времени повышает производительность, но снижает стабильность системы.
DRAM Interleave Mode Активация режима чередования адресов оперативной памяти. Это дает существенный прирост производительности системы в случае обращения к большим массивам последовательных адресов памяти.
Возможные значения:
  • No Interleave - режим отключен;
  • Banks 0+1 - режим чередования адресов включен для банков 0 и 1;
  • Banks 2+3 - режим чередования адресов включен для банков 2 и 3;
  • Both - режим чередования включен для всех банков.
DRAM Page Idle Timer Время (в системных тактах), в течение которого контроллер закрывает открытые страницы памяти. Уменьшая время повышаем производительность и снижаем стабильность. Подбор оптимального значения надо определять опытным путем (обычно подходит значение от 4 до 10 тактов).
Возможные значения:
  • Auto
  • 1T
  • 2T
  • 4T
  • 8T
  • 10T
  • 12T
  • 16T
  • 32T
DRAM Prefetch Buffer Активация использования буфера предвыборки оперативной памяти, что повышает производительность работы.
Возможные значения:
  • Enabled - использование буфера включено;
  • Disabled - использование буфера выключено.
DRAM Prefetch Buffer Size Размер буфера предвыборки, активируемый предыдущей опцией.
DRAM RAS# Precharge Time Время (в системных тактах) заряда сигнала RAS. Чем меньше время, тем больше скорость, но повышается вероятность неполной регенерации, что ведет к потере данных.
Рекомендуемые значения:
  • модули памяти с временем доступа 60 нс - 3 такта;
  • модули памяти с временем доступа 70 нс - 4 такта;
  • DDR2/DDR3 (1066 MHz) - 7 тактов.
DRAM Read Burst Timing Величина задержки при пакетном чтении данных, при котором обращение производится к первой ячейке, а чтение - из трех последующих.
Возможные значения:
  • x111 - SDRAM, DDR SDRAM
  • x222 - EDO RAM (60 ns)
  • x333 - EDO RAM (70 ns), FPM RAM (60 ns)
  • x444 - FPM RAM (70 ns)
DRAM Refresh Method Задание метода регенерации памяти.
Возможные значения:
  • RAS Before CAS - сигнал RAS устанавливается раньше сигнала CAS;
  • CAS Before RAS - сигнал CAS устанавливается раньше сигнала RAS;
  • RAS only - исользуется только сигнал RAS;
  • Normal - стандартный метод, при котором процессор не имеет доступа к памяти во время регенерации;
  • Hidden - скрытый метод, при котором контроллер выбирает наиболее благоприятные моменты для регенерации, при этом процессор имеет доступ к памяти во время регенерации.
DRAM Read Burst (EDO/FP) Аналогично DRAM Read Burst Timing.
DRAM Refresh Period Частота повтора регенерации памяти. Значения зависят от типа материнской платы и версии БИОС.
Возможные значения:
  • For 50 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 50 МГц;
  • For 60 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 60 МГц;
  • For 66 MHz Bus - частота регенерации соответствует частоте шины - 66 МГц;
  • Disabled - пониженная частота регенерации;
  • 7.8 ms, 15.6 ms, 31.2 ms, 62.4 ms - частота регенерации в микросекундах;
  • Normal - стандартная частота регенерации;
  • Fast - ускоренная частота регенерации;
  • Slow - пониженная частота регенерации.
DRAM R/W Leadoff Timing Время задержки (в тактах) для подготовки к любой операции чтения/записи. Обычно используется 6 тактов системной шины.
DRAM Type Тип используемых модулей памяти.
EDO CAS# MA Wait State Задание дополнительного такта задержки после сигнала CAS. Бывает необходимо для модулей памяти EDO RAM, у которых технологическая задержка равна одному такту.
Возможные значения:
  • 1 - стандартная задержка;
  • 2 - увеличенная задержка.
EDO RAS# Wait State То же самое для сигнала RAS.
Extended Refresh Увеличение времени регенерации памяти с 15,6 мкс до 125 мкс для модулей памяти EDO DRAM. Целесообразно использовать только для высококачественных модулей памяти.
Возможные значения:
  • Enabled - опция включена;
  • Disabled - опция выключена.


В начало страницы



В начало страницы